半导体辐射探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。 最常见的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相似，因此又称为固体电离室。 这些检测器通过检测器接触电离辐射时产生的电荷载流子对、电子和空穴产生电流脉冲。 目前，半导体辐射探测器已广泛应用于医学影像检测、核安全监测、环境辐射监测、工业无损检测、宇宙科学和核科学研究等领域。
2022年北美半导体辐射探测器市场份额为39.66%。
Hitachi是半导体辐射探测器市场的主要参与者之一，2022 年占有 26.44% 的市场份额。
Hitachi
Hitachi, Ltd. 总部位于日本东京，专注于其结合信息技术 (IT)、运营技术 (OT) 和产品的社会创新业务。 日立通过日立先进的数字解决方案、服务和技术 Lumada 推动移动、智能生活、工业、能源和 IT 五个领域的数字创新，将数据转化为洞察以推动数字创新。 其目的是提供能够为其客户增加社会、环境和经济价值的解决方案。
Redlen Technologies
Redlen Technologies 是基于专有的镉锌碲成像传感器的多能量 X 射线成像模块的领先供应商。
Redlen Technologies 精密能量检测平台为医疗影像、安全和无损检测细分市场的全球财富 500 强公司提供解决方案。
利用行业领先的 CZT 半导体生产和制造专有工艺，Redlen 成像模块将领先的半导体材料与精密的电子产品相结合，以创建市场特定的增值检测器模块解决方案。
按类型划分，硅探测器细分市场在 2021 年占据了最大的市场份额。
硅探测器
原则上，大多数硅粒子探测器的工作原理是通过掺杂窄（通常约 100 微米宽）硅条将它们变成二极管，然后反向偏置。 当带电粒子通过这些条带时，它们会产生可以检测和测量的小电离电流。 在粒子加速器的碰撞点周围布置数千个这样的探测器可以准确地描绘出粒子的路径。 与云室或线室等旧技术相比，硅探测器在跟踪带电粒子方面具有更高的分辨率。 缺点是硅探测器比这些旧技术贵得多，并且需要复杂的冷却以减少泄漏电流（噪声源）。 随着时间的推移，它们也会因辐射而退化，但由于拉撒路效应，这种情况可以大大减少。
锗探测器
锗探测器主要用于核物理中的伽马能谱以及 X 射线能谱。 硅探测器的厚度不能超过几毫米，而锗可以具有几厘米的耗尽敏感厚度，因此可用作高达几 MeV 的伽马射线的全吸收探测器。 这些探测器也称为高纯度锗探测器 (HPGe) 或超纯锗探测器。 锗探测器的主要缺点是它们必须冷却到液氮温度才能产生光谱数据。
镉锌碲探测器
已开发出用于 X 射线光谱和伽马光谱的镉锌碲 (CZT) 探测器。 材料的高密度意味着它们可以有效衰减能量大于 20 keV 的 X 射线和伽马射线，这是传统硅基传感器无法检测到的。 这些材料的宽带隙也意味着它们具有高电阻率，并且能够在室温或接近室温下工作，这与锗基传感器不同。 碲锌镉 (CZT) 检测器材料可用于生产具有不同电极结构的传感器，用于成像和高分辨率光谱。 然而，CZT 检测器通常无法与锗检测器的分辨率相匹配，其中一些差异可归因于正电荷载流子传输到电极的不良情况。 减轻这种影响的努力包括开发新型电极，以消除收集两种极性载流子的需要。
从应用来看，物理研究细分市场从 2017 年到 2022 年占据了最大份额。
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http://www.lstxf.com/reports/1622208-semiconductor-radiation-detector-market-report.html
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