碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的代表之一，是C和Si元素形成的化合物。与传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显优势。是制造高压、高温、耐辐射功率半导体器件的优良半导体材料。技术程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能相比，主要特点包括：临界击穿电场强度是硅材料的近10倍；导热系数高，是硅材料的3倍以上；饱和电子漂移速度高，是硅材料的两倍；良好的抗辐射性和化学稳定性；与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。本报告按照类型分为SiC MOSFET、SiC Diode、SIC Module、SiC SBD。
Infineon Technologies Ag是碳化硅（Sic）半导体材料和器件市场的主要参与者之一，2023年占有28.36%的市场份额。
Infineon Technologies Ag
Infineon Technologies Ag设计、制造和销售半导体。该公司提供的产品包括功率半导体、微控制器、安全控制器、射频产品和传感器。Infineon Technologies Ag将其产品销往汽车、工业、通信以及消费和安全电子领域。
Cree Incorporated
Cree, Inc. 开发和制造用于电源和射频应用的照明级发光二极管 (LED)、照明和半导体产品。该公司生产用于室内和室外照明、视频显示、交通、电子标志和信号、电源、逆变器和无线系统的产品。
在不同的产品类型中，SIC模块预计将在2028年贡献最大的市场份额。
从应用来看，2018年至2022年电力行业占据最大市场份额。
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http://www.lstxf.com/reports/2647591-silicon-carbide--sic--semiconductor-materials-and-devices-market-report.html
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