碳化硅（SiC）外延炉是生产和制备SiC外延片的专用设备。碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长的具有一定要求且与衬底晶体相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅晶片。
SiC 是一种宽带隙半导体材料，具有优异的热性能和电性能，适用于各种高性能电子器件。碳化硅外延的质量主要取决于生产设备，而SiC外延层是制造电力电子、高频器件、光电器件等SiC基器件必不可少的。
SiC 外延炉为 SiC 层的生长提供受控环境。它通常由反应室、加热元件、气体输送系统、温度控制系统和排气系统组成。该工艺涉及在高温下将含有硅和碳的特定前体气体引入腔室，在那里它们分解并反应以在衬底表面上形成 SiC。由于SiC外延生长是在1500°C或更高的高温环境下进行的，因此SiC外延炉需要控制温度均匀性、晶圆厚度和气流运动。
2022年，日本碳化硅（Sic）外延炉市场份额为44.68%。
碳化硅（Sic）外延炉市场的主要参与者包括TEL、Aixtron、Nuflare、ASM International（LPE SpA）、晶盛机电等。其中，TEL在2023年的销售额和收入方面排名第一。
TEL
TEL是全球领先的半导体设备公司。 TEL 开发、制造和销售各种产品。 TEL的所有半导体和FPD生产设备产品线为信息产业提供了基础，是支持创新和推动各种电子设备发展的核心技术。 TEL 通过全球网络为客户提供卓越的产品和服务。
Aixtron
GaN RFAIXTRON SE 是为半导体行业生产 VCSEL、μLED、SiC 和 GaN-Power 等器件的沉积设备的领先供应商，也是为半导体行业提供沉积设备的领先供应商。
按类型划分，CVD 细分市场在 2022 年占据最大市场份额。
从应用来看，2018年至2022年，100mm SiC外延片占据最大份额。
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http://www.lstxf.com/reports/2599487-silicon-carbide--sic--epitaxy-furnace-market-report.html
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